Dans les usines de lithographie, une variation de 1 °C pendant le processus de séchage du photo-résiste suffit pour perturber les dimensions critiques des wafer, ce qui entraîne la perte d’un grand nombre d’entre eux. Les fours conventionnels chauffent toute la chambre, et non pas le wafer lui-même. Nous avons donc conçu un système de chauffage ciblé, permettant de diriger la chaleur directement sur le wafer, tout en respectant les limites thermiques de chaque couche du film utilisé.
Ce qui est important sur le plan technique Nos modules à infrarouges ciblés permettent de maintenir une uniformité de température de ±0,1 °C dans la zone active du wafer. La répétabilité des valeurs de température reste également dans les limites de ±0,5 °C, même après des milliers de cycles. Les émetteurs à ondes courtes permettent d’atteindre rapidement les températures nécessaires pour le séchage du photo-résiste. De plus, la conception sans fibres de carbone permet de limiter la présence de particules dans les environnements classe 1–100. Le système fonctionne 24/7, avec une compensation prédictive des variations thermiques, ce qui assure une stabilité de performance même après plus de 5 000 heures de fonctionnement.
C’est pourquoi ce système est efficace dans les lignes de lithographie : cette précision permet un meilleur contrôle des dimensions des wafer et diminue le nombre de retouches nécessaires. Pour le séchage des wafer et l’élimination des impuretés aux bords, le chauffage ciblé accélère l’évaporation des solvants sans endommager le substrat. Ainsi, le débit de production augmente et la consommation d’énergie diminue.
Les profils de séchage du photo-résiste restent répétables d’une série à l’autre, ce qui réduit les variations entre différentes machines. On retrouve ainsi plus de marge de manœuvre dans le processus de fabrication, et il n’est plus nécessaire de passer autant de temps à ajuster les paramètres pour compenser les variations thermiques.
Les détails pratiques Le système de chauffage ciblé doit être intégré de manière étroite avec la plateforme de traitement ou de séchage des wafer. Les zones de chauffage doivent être synchronisées avec le mouvement de la plateforme. Des modifications peuvent être apportées, mais il est nécessaire de vérifier les caractéristiques mécaniques et les circuits de refroidissement de chaque équipement. Il est également important de prévoir des systèmes d’évacuation appropriés et des protections contre les interférences électromagnétiques, surtout près des équipements sensibles aux interférences. Les avantages deviennent évidents dès que les variations thermiques ne constituent plus une variable cachée dans le modèle de rendement.