리소그래피 공정에서 PEB 온도의 오차는 CD의 편차나 오버레이 문제를 유발하는 주된 원인입니다. 웨이퍼 전체에 걸쳐 1°C만큼의 온도 불균일성이 발생해도 포토레지스트의 프로파일이 규격을 벗어나게 되어, 수시간 동안의 작업이 낭비될 수 있습니다. 저희는 이러한 문제를 해결하기 위해, 한 번에 여러 로트의 웨이퍼를 처리할 때도 일관된 온도 환경을 유지할 수 있도록 특수한 가열 장치를 개발했습니다.
핵심적인 요소들 저희는 석영 창문 뒤에 단파 적외선 할로겐 소자를 사용하여 빠르고 직접적인 가열을 실현합니다. 이를 통해 웨이퍼 전체의 온도가 ±0.1°C 이내로 유지되며, 반복성도 밀리초 단위로 매우 뛰어납니다. 따라서 1번 로트든 1000번 로트든 동일한 온도 조건이 유지됩니다. 이 장치는 클래스 1–100급의 청정실 환경에 적합하며, 가스 배출이 적고 입자가 적은 구조를 가지고 있습니다. 가열 과정에서 입자가 전혀 생성되지 않는 것은 당연한 사실이며, 이는 장비 인터페이스에서 실시간으로 입자 상태를 모니터링함으로써 확인됩니다.
포토레지스트 처리에서의 중요성 PEB 단계는 노출과 현상 사이에 위치합니다. 바로 그곳에서 화학적 증폭이 완료되고 선의 너비가 결정됩니다. 저희의 가열 장치는 이 단계를 보다 안정적으로 유지하여 CD의 변동성과 그로 인한 재작업을 줄여줍니다. 또한 이 장치는 소프트 베이크와 하드 베이크 공정을 모두 지원하며, 공정에 따라 적절한 가열 프로파일을 설정하여 처리 시간을 단축시키면서도 프로파일 제어를 유지합니다. 또한 SWIR은 챔버 벽이 아닌 웨이퍼 자체를 직접 가열하기 때문에 에너지 소비도 줄어듭니다.
실용적인 팁들 장비 설치 시에는 챔버의 크기와 장비의 인터페이스가 잘 맞는지 확인해야 합니다. 설치하기 전에는 기계적 구조, 냉각 파이프라인, 전력 공급 상태 등을 반드시 확인해야 합니다. SWIR을 사용하면 빠른 반응 속도를 얻을 수 있지만, 온도의 균일성을 유지하기 위해서는 광학적 정렬과 창문의 청결 상태를 계속해서 관리해야 합니다. 장기간 생산을 진행하는 동안에도 온도 프로파일이 유지되도록 창문의 점검과 램프 교체를 주기적으로 실시해야 합니다.