Nella fase di litografia, un errore di temperatura durante la fase PEB può causare deviazioni significative nelle dimensioni del CD e problemi legati all’overlay tra le diverse parti del wafer. Una variazione di temperatura di 1°C su tutta la superficie del wafer è sufficiente per far sì che i profili del fotorestatore non rispettino gli standard richiesti, con conseguente spreco di tempo e risorse. Abbiamo progettato i riscaldatori utilizzati nella fase PEB in modo da mantenere il profilo termico entro i limiti consentiti, lotto dopo lotto.
Cosa è importante nel processo di trattamento del fotorestatore
Utilizziamo elementi riscaldanti a onde infrarosse a corta lunghezza d’onda, posizionati dietro una finestra di quarzo, per ottenere un riscaldamento rapido e preciso, con tempi di risposta inferiori a un secondo. La uniformità della temperatura su tutta la superficie del wafer rimane entro ±0,1°C; inoltre, la ripetibilità dei risultati è elevata, tanto da permettere di ottenere lo stesso profilo termico sia nel primo lotto che nel lotto 1000. Il modulo è adatto all’uso in ambienti a classe 1–100, grazie all’uso di materiali con basso livello di emissione di gas e a sistemi di controllo delle particelle. L’assenza di generazione di particelle durante il processo di riscaldamento non è solo un vantaggio teorico: viene verificata tramite strumenti di monitoraggio delle particelle presenti direttamente all’interfaccia dello strumento.
Perché questo è importante nel processo di trattamento del fotorestatore
La fase PEB si colloca tra la fase di esposizione e quella di sviluppo. È proprio in questa fase che avviene l’amplificazione chimica e viene definita la larghezza delle linee sul wafer. I nostri riscaldatori permettono di mantenere questa fase stabile, riducendo così le variazioni nelle dimensioni del CD e i relativi problemi legati al rifacimento dei lavori. La stessa piattaforma può essere utilizzata sia per processi di riscaldamento delicati che intensivi, con profili di riscaldamento personalizzabili, che permettono di ridurre i tempi di ciclo senza compromettere il controllo sui parametri di trattamento. Inoltre, poiché i raggi infrarossi a corta lunghezza d’onda riscaldano direttamente il wafer, invece delle pareti della camera di riscaldamento, si riduce il consumo energetico.
Alcune note pratiche
L’installazione dipende dal corretto allineamento dello strumento con le strutture presenti nella camera di riscaldamento, nonché dall’interfaccia elettrica necessaria per collegarlo. Prima di integrare lo strumento, è necessario verificare l’accuratezza dell’allineamento meccanico, delle linee di raffreddamento e delle connessioni elettriche. I raggi infrarossi a corta lunghezza d’onda permettono un riscaldamento rapido, ma è fondamentale mantenere sotto controllo l’allineamento ottico e la pulizia delle finestre, per assicurare una uniformità della temperatura. È quindi necessario programmare controlli regolari delle finestre e della lampada, in modo da mantenere integro il profilo termico durante lunghi cicli di produzione.